公开/公告号CN1389874B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN02122105.7
申请日2002-05-30
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2022-08-23 09:06:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-03-30
授权
授权
2004-05-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-01-08
公开
公开
机译: 非易失性存储单元的阵列,每个单元至少具有五个存储单元,具有多个单元,每个单元分别包括三个可编程材料的高程区域,和/或具有连续体积的单元,该连续体积具有多个垂直取向的存储单元的组合多个水平取向的存储单元;非易失性存储单元的垂直堆叠层的阵列
机译: 垂直存储单元的单个存储单元,该存储单元包括一个由控制门和存储存储单元组成的可编程存储晶体管,以及一种垂直存储单元的存储单元,该存储单元的垂直存储单元包括一个由可存储的存储存储单元组成的存储单元
机译: 可编程非易失性存储单元和形成可编程非易失性存储单元的方法