机译:垂直存储单元的单个存储单元,该存储单元包括一个由控制门和存储存储单元组成的可编程存储晶体管,以及一种垂直存储单元的存储单元,该存储单元的垂直存储单元包括一个由可存储的存储存储单元组成的存储单元
公开/公告号WO2018026670A1
专利类型
公开/公告日2018-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号WO2017US44568
发明设计人 ZHU HONGBIN;DENNISON CHARLES H.;HALLER GORDON A.;CARLSON MERRI L.;HOPKINS JOHN D.;NG JIA HUI;SUN JIE;
申请日2017-07-31
分类号H01L27/11556;H01L27/11524;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 12:45:57