机译:分别包括一个控制栅极和一个电荷存储结构的一个可编程电荷存储晶体管的存储单元的垂直串和形成一个单独地包括一个控制栅极和一个电荷存储结构的一个可编程单元的垂直存储单元的方法
公开/公告号US2019043884A1
专利类型
公开/公告日2019-02-07
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201816106693
发明设计人 HONGBIN ZHU;CHARLES H. DENNISON;GORDON A. HALLER;MERRI L CARLSON;JOHN D. HOPKINS;JIA HUI NG;JIE SUN;
申请日2018-08-21
分类号H01L27/11582;H01L27/11556;H01L29/788;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/28;H01L29/792;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:04:07