具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法

摘要

本发明公开了一种具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括至少一钨氧化合物且至少可编程为至少二种电阻状态。上电极包括一阻隔材料，位于存储器元件上，且此阻隔材料是用以避免金属离子从上电极移动到存储器中。