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目录
引言
绪论
1.1 闪存
1.2 几种新型非易失性存储器及其性能的比较
1.3 相变存储器的研究现状
1.4 相变存储材料
1.5 相变存储器面临的问题
1.6 本论文的研究意义及内容
2 实验和分析测试方法
2.1 薄膜样品制备及热处理
2.2 材料性能表征
3 Mg-Zn-Sb相变材料的光电性能及结构研究
3.1 薄膜样品的制备
3.2 Mg-ZnSb相变薄膜的结构分析
3.3 Mg-ZnSb相变薄膜的电学特性
3.4 本章小结
4 Mg-Ge-Te相变材料的光电性能及结构研究
4.1 薄膜样品的制备
4.2 Mg-Ge-Te相变材料的结构分析
4.3 Mg-Ge-Te相变材料的电学特性
4.4 Mg-Ge-Te相变材料的光学特性
4.5 本章小结
5 Mg-Sb-Te相变材料的光电性能及结构研究
5.1 薄膜样品的制备
5.2 Mg-Sb2Te相变薄膜的结构及性能
5.3 Mg-Sb7Te3相变薄膜的结构及性能
5.4 Mg-Sb4Te相变薄膜的结构及性能
5.5 本章小结
6 总结与展望
6.1 研究总结
6.2 工作展望
参考文献
在学研究成果
致谢