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用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料

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摘要

本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(Si

1. 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 [P] . 中国专利： CN102610745B . 2015.05.13
2. 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 [P] . 中国专利： CN101924180A . 2010-12-22
3. CHALCOGEN COMPOUND SPUTTERING APPARATUS, CHALCOGEN COMPOUND SPUTTERING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICE USING THE CHALCOGEN COMPOUND SPUTTERING METHOD [P] . 韩国专利： KR20060013272A . 2006-02-09

机译：硫族化合物的溅射装置，使用其的硫族化合物的溅射方法，以及使用硫族化合物的溅射法制造相变存储器的方法
4. Phase-change memory device using chalcogenide compound as the material of memory cells [P] . 美国专利： US7053431B2 . 2006-05-30

机译：使用硫族化物化合物作为存储单元材料的相变存储器件
5. Phase-change memory device using chalcogenide compound as the material of memory cells [P] . 美国专利： US2006126424A1 . 2006-06-15

机译：使用硫族化物化合物作为存储单元材料的相变存储器件