半导体器件中的MIM电容和用于该MIM电容的方法

摘要

本发明提供一种形成于半导体器件(10)中的一个或者多个金属互连层之上的平坦MIM电容。电容具有底部板状电极(36)和顶部板状电极(40)。绝缘体(38)形成于板状电极之间。在形成第一板状电极之前，在金属互连层上方淀积第一绝缘层(28)。利用化学机械抛光(CMP)工艺对第一绝缘层(28)进行平坦化。然后在平坦化的第一绝缘层上淀积第二绝缘层(32)。第一板状电极(36)形成于第二绝缘层(32)上方。绝缘体(38)形成于第一板状电极之上，作为电容的电介质。在绝缘体(39)上方形成第二板状电极(40)。平坦化第一绝缘层并在其上淀积第二绝缘层，减少了缺陷并产生更可靠的电容。