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公开/公告号CN101076881B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 德州仪器公司;
申请/专利号CN200580042405.0
发明设计人 阿米塔比·贾殷;
申请日2005-10-19
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 09:05:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-12
授权
2008-01-16
实质审查的生效
2007-11-21
公开
机译: 通过激光退火(外延)重结晶进行固相外延生长
机译: 使用固相外延和激光退火形成FinFET的源极和漏极的方法
机译: 激光退火固相表皮再结晶
机译:室温激光退火用于β-Ga2O3薄膜的固相外延结晶
机译:n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的级联C_7H_x注入后快速固相外延和激光退火形成的低应变碳掺杂源极/漏极的高应变沟道
机译:低温固相外延与非熔融双脉冲绿色激光退火相结合形成硅中超浅p〜+ / n结
机译:使用非平衡退火表征结激活和失活:固相外延,尖峰退火,激光退火说明
机译:使用水平集方法对固相外延再生进行二维建模。
机译:用光刻法对金属-氧化物外延隧道结进行X射线衍射成像:使用聚焦和未聚焦X射线束
机译:固相外延再结晶形成锗中n型结的形成,稳定性和适用性
机译:快速再结晶和离子注入碳对硅上si(sub 1-x)Ge(sub x)合金层固相外延再生的影响