使用激光退火利用固相外延形成用于鳍式FET的源极和漏极的方法

摘要

本文公开的方法涉及使用激光退火利用固相外延形成用于鳍式FET的源极和漏极的方法。所公开的方法包括用具有与第一掺杂相反的第二掺杂的掺杂非晶硅(a‑Si)或非晶硅锗(a‑SiGe)替代具有侧壁和第一掺杂的鳍式FET结构的源极区段和漏极区段的顶部部分，并且延伸高于侧壁。所公开的方法还包括进行a‑Si或a‑SiGe的亚熔化激光退火以分别形成c‑Si或c‑SiGe从而限定鳍式FET的源极区和漏极区。去除未转化的a‑Si或a‑SiGe。如此形成的源极区和漏极区包括延伸超过所述侧壁的顶部的扩展区域部分。