减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面设置有N型阱区，在N型阱区上设置有P型阱区和P型掺杂半导体区，在P型阱区上设有P型源区和N型接触区，在P型掺杂半导体区上设有P型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N型阱区内设有轻掺杂浅P型区，所述的轻掺杂浅P型区位于P型阱区与P型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅P型区覆盖栅氧化层与P型掺杂半导体区形成的拐角。