在薄SOI晶体管中嵌入的应变层以及其形成方法

摘要

通过形成穿过绝缘埋层(103，203)的深凹处(111，211)且重新生长应变的半导体材料(112，212)，在似SOI晶体管(100，200)中可提供增强的应变产生机构(strain generation mechanism)。结果，用遍及整个作用层(active layer)的嵌入应变的半导体材料也可有效地产生应变，藉此显著地增强其中可界定两个沟道区的晶体管器件的效能。