隧道绝缘层中具有间隙的非易失性存储器件及其制造方法

摘要

提供一种在隧道电介质层(14，114，214，314)内具有间隙的非易失性存储器件(1，101，201，301)及其制造方法。所述器件在衬底(10，110，210，310)顶部具有叠层，所述叠层包括：具有间隙(14，114，214，314)的电荷隧道层，电荷存储层(16，116，216，316)，控制栅极层(20，120，220，320)和在电荷存储层和控制栅极之间的绝缘层(18，118，218，220)。制造通过在部分衬底上沉积牺牲层(28，128，228，328)进行，所述衬底上形成包括电荷存储层、绝缘层和控制栅极层的叠层(24，124，224，324)。随后，去除牺牲层的选定部分，由此在电荷存储区域和衬底之间形成间隙。所述间隙通过沉积密封层(34，134，234，334)保护，以避免另外的处理。这种器件具有降低的工作电压，并且在现有的半导体工艺中可以容易地实现它的制造。