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形成通过加入硅来调整功函数的金属栅极结构的方法

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摘要

本发明公开了一种形成具有功函数可控的金属栅极(30)的半导体结构的方法，所述方法包括形成前身结构的步骤，所述前身结构具有有源区(12)被沟道所分隔的基片(10)，以及在沟道之上和在介电层(20)之内的临时栅极(16)。去除临时栅极(16)以形成底部和侧壁在介电层(20)之内的凹沟(22)。在凹沟(22)内沉积不含硅的金属层(26)。将硅加入到金属层(26)中并在金属层(26)上沉积金属(28)。通过硅烷处理而获得硅的加入，所述硅烷处理是在沉积金属层(26)之前、之后或既之前又之后进行的。加入到金属层(26)中的硅的数量控制所形成的金属栅极(30)的功函数。

著录项

  • 公开/公告号CN1777976B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN200480011033.0

  • 发明设计人 C·伍;P·R·贝塞尔;M·V·努;J·N·潘;J·尹;

    申请日2004-04-19

  • 分类号H01L21/28(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/49(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/28 授权公告日:20100609 终止日期:20190419 申请日:20040419

    专利权的终止

  • 2010-09-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20100722 申请日:20040419

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-09-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20100722 申请日:20040419

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-06-09

    授权

    授权

  • 2010-06-09

    授权

    授权

  • 2006-07-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-24

    公开

    公开

  • 2006-05-24

    公开

    公开

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