...
机译:Pd_2Si全硅化金属栅极的形成动力学和功函数调整
Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan;
metal gate; fully silicided (FUSI) gate; work function tuning; palladium silicide; Pd_2Si;
机译:Co:Mi比可变的完全硅化Co-Ni金属栅极的相形成和功函数调整
机译:预植入NiSi全硅化金属栅极中栅极/氧化物界面上的电偶极子形成对功函数调节的研究
机译:在完全硅化的镍栅极中使用界面钇层对n沟道金属氧化物场效应晶体管进行功函数调整
机译:金属门CMOS应用中的镍硅化物工作功能调整研究
机译:用于高级CMOS技术的反应溅射HfxSi yNz金属栅电极的功函数调整。
机译:阳离子金属卟啉催化催化催化的四(4-磺酰苯基)卟啉J-骨料形成的动力学研究
机译:在全硅化镍栅极中使用界面钇层调制n沟道mOsFET的功函数