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本刊通讯员;
剥离技术; 金属薄膜; 硅化物; FSI; 国际; 清洗系统; 集成过程; 现场安装;
机译:两性离子碱金属硅化物的超分子方法和杂双金属硅化物的形成f
机译:布鲁塞尔蓄势待发,宣布在反垄断调查中取得突破
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:硅-量子点/金属硅化物-纳米点混合堆叠的形成,表征及其在浮栅功能器件中的应用
机译:金属硅化物和金属锗硅化物与硅锗合金接触的形成。
机译:等离子体制备中饱和压力差对金属硅化物纳米粉形成的影响
机译:从金属间铁硅化物的腐蚀中,从金属间铁硅化物的腐蚀中发展高活性氧化铁(III)相对5-羟甲基甲基糠醛的母催化水氧化和选择性氧合
机译:通过注入形成的空穴和硅中的硼硅化物沉淀物强烈偏析吸收过渡金属
机译:使用单个硅化物形成步骤形成用于MOS结构的自对准金属硅化物接触的方法
机译:用于DRAM的CMOS集成电路器件的自对准接触形成方法,包括通过沉积难熔金属以形成金属硅化物区域,使在衬底中形成的接触区域经受硅化物处理。
机译:在具有两个硅区域的器件中形成不同厚度的硅化物区域的步骤包括:在用金属材料覆盖硅区域的硅区域的上部注入锑或铝,并加热器件
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