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>
Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society
Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society
召开年:
2011
召开地:
Boston, MA(US);Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Ⅲ-Ⅴ Tunnel Field-Effect Transistors
机译:
Ⅲ-Ⅴ型隧道场效应晶体管
作者:
A. Seabaugh
;
S. D. Chae
;
P. Fay
;
W. S. Hwang
;
T. Kosel
;
R. Li
;
Q. Liu
;
Y. Lu
;
T. Vasen
;
M. Wistey
;
H. Xing
;
G. Zhou
;
Q. Zhang
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
2.
Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and Its Application to Floating Gate Functional Devices
机译:
硅-量子点/金属硅化物-纳米点混合堆叠的形成,表征及其在浮栅功能器件中的应用
作者:
S. Miyazaki
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
3.
Enhancement of a Channel Strain Via Dry Oxidation of Recessed Source/Drain Si_(1-x)Ge_x Structures
机译:
通过干式氧化源/漏Si_(1-x)Ge_x结构的干氧化增强沟道应变
作者:
S.-W. Kim
;
J.-H. Yoo
;
S.-M. Koo
;
D.-H. Ko
;
H.-J. Lee
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
4.
Dependence of Interface-State Density on Three Dimensional Silicon Structure Measured by Charge-Pumping Method
机译:
电荷泵方法测量的界面态密度对三维硅结构的依赖性
作者:
K. Nakajima
;
S. Sato
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
A. Nishiyama
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
5.
Atomically Controlled Formation of Strained Si_(1-x)Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room-Temperature Resonant Tunneling Diode
机译:
室温谐振隧穿二极管的应变Si_(1-x)Ge_x / Si量子异质结构的原子控制形成。
作者:
Masao Sakuraba
;
Junichi Murota
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
6.
Direct Observation of Electronic States in Gate Stack Structures: XPS under Device Operation
机译:
直接观察门堆叠结构中的电子状态:器件操作下的XPS
作者:
Y. Yamashita
;
H. Yoshikawa
;
T. Chikyo
;
K. Kobayashi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
7.
Electrical Properties of Rare-Earth oxides and La_2O_3 Stacked Gate Dielectrics
机译:
稀土氧化物和La_2O_3堆叠栅介质的电学性质
作者:
M. Kouda
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
A. Nishiyama
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
8.
Challenges of Si Photonics for Photonics Integration on Si LSIs
机译:
Si光子学对Si LSI上光子学集成的挑战
作者:
K. Wada
;
Y. Ishikawa
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
9.
A Hysteresis-free High-k Dielectric and Contact Resistance Considerations for Graphene Field Effect Transistors
机译:
石墨烯场效应晶体管的无磁滞高k介电和接触电阻注意事项
作者:
S. Vaziri
;
M. OEstling
;
M. C. Lemme
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
10.
Effect of Al_2O_3/InGaAs Interface on Channel Mobility
机译:
Al_2O_3 / InGaAs界面对通道迁移率的影响
作者:
L. Yang
;
C. W. Cheng
;
M. T. Bulsara
;
E. A. Fitzgerald
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
11.
Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group Ⅳ Semiconductors
机译:
用于Ⅳ组半导体量子异质积分的原子控制等离子体处理
作者:
Masao Sakuraba
;
Junichi Murota
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
12.
GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications
机译:
GeSn技术:锡对Ge CMOS应用的影响
作者:
S. Zaima
;
O. Nakatsuka
;
Y. Shimura
;
M. Adachi
;
M. Nakamura
;
S. Takeuchi
;
B. Vincent
;
F. Gencarelli
;
T. Clarysse
;
J. Demeulemeester
;
K. Temst
;
A. Vantomme
;
M. Caymax
;
R. Loo
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
13.
Influence of Flash Lamp Annealing on Electrical Characteristics of MOS Device with Si/La_2O_3-Si structure
机译:
闪光灯退火对Si / La_2O_3 / n-Si结构MOS器件电学特性的影响
作者:
T. Kaneda
;
M. Kouda
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
A. Nishiyama
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
14.
CMOS Integration using Low Thermal Budget Dopant-Segregated Metallic S/D Junctions on Thin-Body SOI
机译:
在薄体SOI上使用低热预算掺杂剂隔离的金属S / D结进行CMOS集成
作者:
G. Larrieu
;
E. Dubois
;
D. Ducatteau
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
15.
Integration and Scalability of ALD-Based Mixed Phase Nanometer-scale Barrier Layers for Extendable Metal Interconnects
机译:
可扩展金属互连的基于ALD的混合相纳米级势垒层的集成和可扩展性
作者:
Eric T. Eisenbraun
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
16.
Low-Frequency Noise Assessment of CMOS Transistors with a Through-Silicon Via
机译:
具有硅通孔的CMOS晶体管的低频噪声评估
作者:
E. Simoen
;
A. Mercha
;
G. Van der Plas
;
C. Claeys
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
17.
High-K Dielectrics / High-Mobility Channel MOSFETs
机译:
高介电常数/高迁移率沟道MOSFET
作者:
Jack C. Lee
;
F. Xue
;
Y. Chen
;
Y. Wang
;
F. Zhou
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
18.
Elastic Relaxation Evaluation in SiGe/Si Hetero-Epitaxial Structures
机译:
SiGe / Si异质外延结构中的弹性松弛评估
作者:
M.B. Gonzalez
;
N. Naka
;
A. Hikavyy
;
G. Eneman
;
R. Loo
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
19.
Optimization of Resist ash Processes on Si_(0.45)Ge_(0.55) Substrates for Post Extension- Halo Ion Implantation
机译:
Si_(0.45)Ge_(0.55)衬底上用于后期扩展-晕离子注入的抗蚀剂灰工艺的优化
作者:
G. Mannaert
;
R. Vos
;
D. Tsvetanova
;
E. Altamirano
;
L. Witters
;
M. Demand
;
R. Sonnemans
;
I. Berry
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
20.
Different Properties of Erbium Silicides on Si(100) and Si(551) Orientation Surfaces
机译:
Si(100)和Si(551)取向表面上硅化Er的不同性质
作者:
Hiroaki Tanaka
;
Akinobu Teramoto
;
Rihito Kuroda
;
Yukihisa Nakao
;
Tomoyuki Suwa
;
Kazumasa Kawase
;
Shigetoshi Sugawa
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
21.
Moisture Uptake Impact on Damage Layer of Porous Low-k Film in 80nm-pitched Cu interconnects
机译:
吸潮对80nm间距Cu互连中多孔低k膜损伤层的影响
作者:
M. Tagami
;
A. Ogino
;
H. Miyajima
;
H. Shobha
;
F. Baumann
;
F. Ito
;
T. Spooner
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
22.
Efficient Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memories
机译:
高度可扩展的MONOS类型内存的有效指导原则
作者:
K. Kamiya
;
K. Yamaguchi
;
A. Otake
;
Y. Shigeta
;
K. Shiraishi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
23.
Biaxial and Uniaxial Compressive Stress Implemented in Ge(Sn) pMOSFET Channels by Advanced Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Developments
机译:
通过先进的减压化学气相沉积技术在Ge(Sn)pMOSFET沟道中实现双轴和单轴压缩应力
作者:
B. Vincent
;
F. Gencarelli
;
D. Lin
;
L. Nyns
;
O. Richard
;
H. Bender
;
B. Douhard
;
A. Moussa
;
C. Merckling
;
L. Witters
;
W. Vandervorst
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
M.Heyns
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
24.
A Deep-Level Transient Spectroscopy Study of Implanted Ge p~+n and n~+p Junctions by Pt-Induced Crystallization
机译:
Pt诱导结晶注入Ge p〜+ n和n〜+ p结的深层瞬态光谱研究
作者:
E. Simoen
;
J. Lauwaert
;
H. Vrielinck
;
V. Ioannou-Sougleridis
;
A. Dimoulas
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
25.
In-Situ HC1 Etching of InP in Shallow-Trench-Isolated Structures
机译:
浅沟槽隔离结构中InP的原位HC1蚀刻
作者:
T. Orzali
;
G. Wang
;
N. Waldron
;
C. Merckling
;
O. Richard
;
H. Bender
;
W.-E Wang
;
M. Caymax
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
26.
The Annealing Kinetic Study on Germanium Surface Blistering by Hydrogen Implantation
机译:
氢注入对锗表面起泡的退火动力学研究
作者:
Fan Yang
;
Xuan Xiong Zhang
;
Tian Chun Ye
;
Song Lin Zhuang
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
27.
Issues and Challenges of High-A: Dielectrics on High-Mobility Substrates
机译:
高A的问题和挑战:高迁移率基板上的电介质
作者:
D. Misra
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
28.
XPS Study on Chemical Bonding States of high-K/high-μ Gate Stacks for Advanced CMOS
机译:
XPS用于高级CMOS的高K /高μ栅堆叠的化学键合状态的研究
作者:
H. Nohira
;
A. Komatsu
;
K. Yamashita
;
K. Kakushima
;
H. Iwai
;
Y. Hoshi
;
K. Sawano
;
Y. Shiraki
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
29.
Gate SiO_2 Film Integrity on Ultra-Pure Argon Anneal (100) Silicon Surface
机译:
超纯氩气退火(100)硅表面上的栅SiO_2膜完整性
作者:
Akinobu Teramoto
;
Xiang Li
;
Rihito Kuroda
;
Tomoyuki Suwa
;
Shigetoshi Sugawa
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
30.
Monolithic Microphotonic Integration on the Silicon Platform
机译:
硅平台上的单片微光子集成
作者:
L. C. Kimerling
;
J. Michel
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
31.
Vertical 3D NAND Flash Memory Technology
机译:
垂直3D NAND闪存技术
作者:
Akihiro Nitayama
;
Hideaki Aochi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
32.
In-Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Conductive Filament in Resistance Random Access Memories
机译:
电阻随机存取存储器中导电丝的原位透射电子显微镜分析
作者:
Yasuo Takahashi
;
Takashi Fujii
;
Masashi Arita
;
Ichiro Fujiwara
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
33.
MEMS Module Integration into SiGe BiCMOS Technology for Embedded System Applications
机译:
MEMS模块集成到SiGe BiCMOS技术中,用于嵌入式系统应用
作者:
M. Kaynak
;
M. Wietstruck
;
W. Zhang
;
R. Scholz
;
J. Drews
;
S. Marschmeyer
;
D. Knoll
;
F. Korndorfer
;
K. Schulz
;
C. Wipf
;
D. Wolansky
;
K. Kaletta
;
M. Wegner
;
O. Ehrmann
;
Bernd Tillack
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
34.
The Effects of Mechanical and Tribological Properties of Coatings on Scratch Generation in Chemical-Mechanical Polishing
机译:
涂层的机械和摩擦学性能对化学机械抛光中划痕产生的影响
作者:
S. Kim
;
N. Saka
;
J.-H. Chun
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
35.
Opportunity for Phase-controlled Higher-k HfO_2
机译:
相控高k HfO_2的机会
作者:
Akira Toriumi
;
Yasuhiro Nakajima
;
Koji Kita
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
36.
Restructuring of Memory Layer in Electrical System and Its Novel Evolution with Nonvolatile Logic
机译:
电气系统中存储层的重构及其非易失性逻辑的新发展
作者:
T. Endon
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
37.
High Mobility Epitaxial Graphene for Carbon-based Nanoelectronics
机译:
碳基纳米电子的高迁移率外延石墨烯
作者:
Claire Berger
;
Ming Ruan
;
James Palmer
;
John Hankinson
;
Yike Hu
;
Zelei Guo
;
RuiDong
;
Edward Conrad
;
Walt A de Heer
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
38.
Device and Integration Technologies of Ⅲ-Ⅴ/Ge Channel CMOS
机译:
Ⅲ-Ⅴ/ Ge沟道CMOS器件与集成技术
作者:
S. Takagi
;
M Yokoyama
;
S. H. Kim
;
R. Zhang
;
M. Takenaka
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
39.
Selective Area Growth of InP on on-axis Si(00l) Substrates with Low Antiphase Boundary Formation
机译:
具有低反相边界形成的同轴Si(00l)衬底上InP的选择性区域生长
作者:
R. Loo
;
G. Wang
;
T. Orzalf
;
N. Waldron
;
C. Merckling
;
M. R. Leys
;
O. Richard
;
H. Bender
;
P. Eyben
;
W. Vandervorst
;
M. Caymax
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
40.
Pulsed UV-Laser Processing of Amorphous and Crystalline Group Ⅳ Semiconductors
机译:
非晶和晶体Ⅳ族半导体的脉冲紫外激光加工
作者:
S.Chiussi
;
F.Gontad
;
S.Stefanov
;
J.C.Conde
;
E.Lopez
;
C.Serra
;
A.Benedetti
;
J.Serra
;
B.Leon
;
P.Gonzalez
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
41.
Extension of Moore's Law Via Strained Technologies- The Strategies and Challenges
机译:
通过应变技术扩展摩尔定律-策略和挑战
作者:
Steve S. Chung
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2011年
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