溅射沉积中硒化银膜化学计量和形态控制

摘要

一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约0.3-约10mTorr的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明的一个方面，优选在约2-约3mTorr的压力下使用RF溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，优选在约4-约5mTorr的压力下使用脉冲DC溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，可以在约10mTorr的压力和小于约250W的溅射功率下溅射沉积含α-和β-硒化银的硒化银膜。