磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究

摘要

采用磁控溅射后退火的方式成功制备了硒化银薄膜,膜厚约为310 nm。X射线粉末衍射分析表明所制备薄膜为单相正交结构,伴随择优取向;比较不同退火温度的效果后发现300℃退火后的薄膜样品结晶最好。扫描电子显微镜、X射线能谱分析表明300℃退火后样品均匀致密,元素组分接近原始比例,是较为适宜的退火温度。低温磁电阻测试显示薄膜样品具有明显的正磁电阻效应,90 K附近达到最大磁电阻值7.3%。霍尔系数测量得到薄膜样品室温载流子浓度与霍尔迁移率分别为2.2×1019cm-3与221 cm2·V-1·s-1。