一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极。本发明的有机场效应晶体管通过控制聚合物-偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物-偶极分子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。