首页> 中国专利> 半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法

半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法

摘要

公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道,其包括在半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域、以及在半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域,其中第一晶体取向表面与第二晶体取向表面形成二面角,并且器件沟道至少覆盖二面角的楞。

著录项

  • 公开/公告号CN100590882C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200810081344.4

  • 发明设计人 拉齐夫·V·约什;许履尘;欧阳旭;

    申请日2008-02-25

  • 分类号H01L29/04(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/786(20060101);H01L27/12(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/84(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人屠长存

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/04 授权公告日:20100217 终止日期:20190225 申请日:20080225

    专利权的终止

  • 2017-12-12

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/04 登记生效日:20171123 变更前: 变更后: 申请日:20080225

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-12

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/04 登记生效日:20171123 变更前: 变更后: 申请日:20080225

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-12

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/04 登记生效日:20171123 变更前: 变更后: 申请日:20080225

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-12

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/04 登记生效日:20171123 变更前: 变更后: 申请日:20080225

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-02-17

    授权

    授权

  • 2010-02-17

    授权

    授权

  • 2010-02-17

    授权

    授权

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-10

    公开

    公开

  • 2008-09-10

    公开

    公开

  • 2008-09-10

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号