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凸点下金属膜及其形成方法、及声表面波器件

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摘要

本发明是形成于衬底上的凸点下金属膜，该凸点下金属膜的结构，至少具备由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层、以及位于所述耐扩散阻挡层下层的以铝为主成分的应力缓冲层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-02

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/60 变更前: 变更后: 申请日:20060307

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-02-25

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/60 变更前: 变更后: 登记生效日:20150128 申请日:20060307

专利申请权、专利权的转移
2010-02-17

授权

授权
2008-05-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-03-19

公开

公开

1. 凸点下金属膜及其形成方法、及声表面波器件 [P] . 中国专利： CN100590825C . 2010.02.17
2. 凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法 [P] . 中国专利： CN102456653B . 2014.07.30
3. Underbarrier metal ribbon for bump formation and bump formation method [P] . 日本专利： JP3213923B2 . 2001-10-02

机译：用于凸点形成的下阻挡金属带和凸点形成方法
4. Line forming method for semiconductor NAND flash memory device, involves forming a glue layer and lower barrier metal film on entire surface including trench and forming upper barrier metal film at bottom of trench [P] . 德国专利： DE102005028644A1 . 2006-08-31

机译：半导体NAND快闪存储器件的线形成方法，包括在包括沟槽的整个表面上形成胶层和下阻挡金属膜，并在沟槽的底部形成上阻挡金属膜
5. METHOD FOR FORMING METAL FILM, SUBSTRATE FOR FORMING METAL FILM, METAL FILM LAMINATE, METHOD FOR FORMING METAL PATTERN, SUBSTRATE FOR FORMING METAL PATTERN, METAL PATTERN MATERIAL, AND COATING LIQUID COMPOSITION FOR FORMING POLYMER PRECURSOR LAYER [P] . 日本专利： JP2007262542A . 2007-10-11

机译：金属膜的形成方法，金属膜的形成体，金属膜叠层体，金属图案的形成方法，金属图案的形成体，金属图案材料，以及形成聚合物前体层的涂布液组合物