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凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法

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摘要

本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

1. 凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法 [P] . 中国专利： CN102456653B . 2014.07.30
2. 具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法 [P] . 中国专利： CN102456657B . 2015.10.21
3. Bump structure with underbump metallization structure and integrated redistribution layer [P] . 美国专利： US9190373B2 . 2015-11-17

机译：具有凸点下金属化结构和集成重新分布层的凸点结构
4. NON-CIRCULAR UNDER BUMP METALLIZATION (UBM) STRUCTURE, ORIENTATION OF NON-CIRCULAR UBM STRUCTURE AND TRACE ORIENTATION TO INHIBIT PEELING AND/OR CRACKING [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014011612A2 . 2014-01-16

机译：凸起金属化（UBM）结构下的非圆形，UBM结构的非圆形取向和痕迹取向，以防止剥落和/或开裂
5. NON-CIRCULAR UNDER BUMP METALLIZATION (UBM) STRUCTURE, ORIENTATION OF NON-CIRCULAR UBM STRUCTURE AND TRACE ORIENTATION TO INHIBIT PEELING AND/OR CRACKING [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014011612A3 . 2014-04-10

机译：凸起金属化（UBM）结构下的非圆形，UBM结构的非圆形取向和痕迹取向，以防止剥落和/或开裂