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等离子体增强原子层沉积方法和由其制造的半导体器件

摘要

一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料,并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于600W的电磁功率被耦合到工艺室,以生成加速在衬底表面处的第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。通过交替引入第一处理材料和第二处理材料在衬底上形成膜。

著录项

  • 公开/公告号CN100585818C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200680009167.8

  • 发明设计人 石坂忠大;柳本熏;

    申请日2006-03-15

  • 分类号H01L21/44(20060101);

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李剑

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/44 授权公告日:20100127 终止日期:20170315 申请日:20060315

    专利权的终止

  • 2010-01-27

    授权

    授权

  • 2010-01-27

    授权

    授权

  • 2008-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-19

    公开

    公开

  • 2008-03-19

    公开

    公开

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