法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 变更前: 变更后: 登记生效日:20100730 申请日:20050525
专利申请权、专利权的转移
2010-05-05
授权
授权
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-06-13
公开
公开
机译: 形成具有位于晶体块状衬底上方的具有不同特性的晶体半导体区域的衬底的技术
机译: 形成具有位于晶体块状衬底上方的具有不同特性的晶体半导体区域的衬底的技术
机译: 形成具有位于埋入绝缘层上方的具有不同特性的晶体半导体区域的衬底的技术