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MEMS电容压力芯片及其制备方法、电容式压力传感器

摘要

本发明公开了一种微机电系统MEMS电容压力芯片及其制备方法、电容式压力传感器,本发明在上极板及下极板上分别设置了感压膜和引压孔,通过双感压膜结构以及引压孔结构的设计,使得上、下极板会产生相同大小的形变,该形变引起电容变化是现有单感压膜的电容式压力传感器芯片的两倍,所以本发明芯片灵敏度也是现有电容压力传感器芯片的两倍,因此本发明可以有效提高电容式压力传感器灵敏度,从而解决了现有电容式压力传感器灵敏度低的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113340517B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.02.21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第三研究所;

    申请/专利号CN202110660644.3

  • 发明设计人 王立会;刘云飞;周瑜;滕超;冯杰;

    申请日2021.06.15

  • 分类号G01L9/12;B81B7/02;

  • 代理机构工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人张然

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥北路乙7号

  • 入库时间 2023-03-15 00:58:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-21

    授权

    发明专利权授予

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