具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法

摘要

MOSFET栅极或MOSFET源极或漏极区域包括硅锗或者多晶硅锗。以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物(62，64)，该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了镍单硅化物所呈现的较好薄层电阻。结果，在随后的处理期间，镍锗硅化物比镍单硅化物更能够抵挡较高的温度，而却仍能够提供与镍单硅化物大约相同的薄层电阻与其它有利特性。