公开/公告号CN100553005C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-10-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200710044476.5
申请日2007-08-01
分类号H01L45/00(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:03:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-10-21
授权
授权
2008-03-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-23
公开
公开
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子器件及其制造方法
机译: 与相变存储器件的功耗计算有关的电路,包括该相变存储器件的相变存储系统以及与相变存储器件的功耗计算有关的方法
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法