法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/288 授权公告日:20090923 终止日期:20120529 申请日:20080529
专利权的终止
2009-12-16
发明专利说明书更正 号:38 卷:25 页码:扉页 更正项目:发明名称 误:一种制备超薄HfO#-[2]或ZrO#-[3]栅介质薄膜的软化学法 正:一种制备超薄HfO#-[2]或ZrO#-[2]栅介质薄膜的软化学法 申请日:20080529
发明专利说明书更正
2009-12-16
发明专利公报更正 号:38 卷:25 页码:1810 更正项目:发明名称 误:一种制备超薄HfO#-[2]或ZrO#-[3]栅介质薄膜的软化学法 正:一种制备超薄HfO#-[2]或ZrO#-[2]栅介质薄膜的软化学法 申请日:20080529
发明专利公报更正
2009-09-23
授权
授权
2008-12-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-22
公开
公开
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机译: 原子层沉积的HfO2 / ZrO2薄膜纳米层作为栅极电介质
机译: 原子层沉积的HfO2 / ZrO2薄膜纳米层作为栅极电介质
机译: 原子层沉积的HfO2 / ZrO2薄膜纳米层作为栅极电介质