采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器

摘要

一种采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器，其特征是由电容(C1)-电容(C4)、NMOS晶体管(T1)-NMOS晶体管(T4)、电阻(R_L)等构成；本发明通过在整流器所使用的晶体管的栅极上串联电容或类电容结构的器件来分压加至在晶体管的栅极上的电压，用于集成基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型的存储器的RFID电子标签/智能卡芯片的实现。采用本发明整流器，有助于集成基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型的存储器，并有助于降低RFID电子标签/智能卡芯片的制造和工艺成本。