公开/公告号CN101405932B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 上海凯路微电子有限公司;
申请/专利号CN200780007767.5
申请日2007-04-02
分类号H02M7/219(20060101);H01L27/02(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市张江高科技园区松涛路563号1号楼305室
入库时间 2022-08-23 09:06:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
专利权的转移 IPC(主分类):H02M 7/219 登记生效日:20191115 变更前: 变更后: 申请日:20070402
专利申请权、专利权的转移
2015-02-25
专利权的转移 IPC(主分类):H02M7/219 变更前: 变更后: 登记生效日:20150130 申请日:20070402
专利申请权、专利权的转移
2015-02-25
专利权的转移 IPC(主分类):H02M 7/219 变更前: 变更后: 登记生效日:20150130 申请日:20070402
专利申请权、专利权的转移
2011-06-01
授权
授权
2011-06-01
授权
授权
2009-06-03
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-03
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-08
公开
公开
2009-04-08
公开
公开
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机译: 具有标准CMOS晶体管的高耐压整流器
机译: 在CMOS工艺流程中采用双阱剂量法形成高漏极耐压MOSFET晶体管的方法
机译: 在CMOS工艺流程中采用双阱剂量法形成高漏极耐压MOSFET晶体管的方法