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采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器

摘要

一种采用标准CMOS晶体管实现的高耐压桥式全波整流器,包括四个MOS晶体管(103,104,105,106)。在需承受高压的晶体管和整流器的输入端之间串接额外的晶体管(107,108),来减小该晶体管栅极上的电压。同时,还通过串接其他额外晶体管(109,110)的方式,对其栅极和源极之间的电压进行分压,从而在不增加额外工艺复杂性的情况下,采用标准的低压CMOS晶体管来实现高耐压整流器,降低了制造和工艺成本。

著录项

  • 公开/公告号CN101405932B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海凯路微电子有限公司;

    申请/专利号CN200780007767.5

  • 发明设计人 王兼明;曹玉升;毛军华;巫向东;

    申请日2007-04-02

  • 分类号H02M7/219(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区松涛路563号1号楼305室

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    专利权的转移 IPC(主分类):H02M 7/219 登记生效日:20191115 变更前: 变更后: 申请日:20070402

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-02-25

    专利权的转移 IPC(主分类):H02M7/219 变更前: 变更后: 登记生效日:20150130 申请日:20070402

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-02-25

    专利权的转移 IPC(主分类):H02M 7/219 变更前: 变更后: 登记生效日:20150130 申请日:20070402

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-06-01

    授权

    授权

  • 2011-06-01

    授权

    授权

  • 2009-06-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-08

    公开

    公开

  • 2009-04-08

    公开

    公开

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