在宽带隙材料中制作高功率器件的方法

摘要

本申请公开了一种在宽带隙半导体材料中制作高功率、高频率器件的方法，在工作期间具有降低的结温度、更高的功率密度和在额定功率密度下具有提高的可靠性，以及所得到的半导体结构和器件。该方法包括向碳化硅晶片附加一层金刚石以提高所得到的复合晶片的热传导率，其后减小该复合晶片的碳化硅部分的厚度，同时保持足够厚的的碳化硅以支撑其上的外延生长，准备该复合晶片的碳化硅表面用于其上的外延生长，以及向该晶片的所准备的碳化硅面附加III族氮化物异质结构。