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控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法

摘要

控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法属于PZT薄膜制备技术领域,具体特征在于,以溶质摩尔浓度为0.14mol/L,四氢呋喃30ml,四-乙二醇二甲醚4ml,Pb为27%,Zr为55%,Ti为18%,制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜,衬底为1~8英寸,均匀性大于95%,厚度为1500埃。

著录项

  • 公开/公告号CN100552082C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200810103811.9

  • 申请日2008-04-11

  • 分类号C23C16/40(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/40 授权公告日:20091021 终止日期:20130411 申请日:20080411

    专利权的终止

  • 2009-10-21

    授权

    授权

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-27

    公开

    公开

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