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Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices
Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices
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1.
Integration of Porous Silicon with Sol-Gel Derived Ceramic Films
机译:
多孔硅与溶胶-凝胶衍生陶瓷膜的集成
作者:
S. Stolvarova
;
B. Malic
;
S. Javoric
;
A. El-Bahar
;
M. Kosec
;
Y. Nemirovsky
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
2.
Leakage Current and Dielectric Properties of Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 Films Deposited by RF Sputtering at Low Substrate Temperature
机译:
低温下射频溅射沉积Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜的漏电流和介电性能
作者:
Nicholas Cramer
;
Thottam S. Kalkur
;
Elliot Philofsky
;
Lee Kammerdiner
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
3.
Hybrid Valence Bands in Strained-Layer Heterostructures grown on Relaxed SiGe Virtual Substrates
机译:
在松弛SiGe虚拟衬底上生长的应变层异质结构中的混合价带。
作者:
Minjoo L. Lee
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
4.
MAGNETO-OPTIC MATERIALS FOR INTEGRATED APPLICATIONS
机译:
集成应用的磁光材料
作者:
SANG-YEOB SUNG
;
NA-HYOUNG KIM
;
BETHANIE J. H STADLER
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
5.
LASER ASSISTED MOLECULAR BEAM DEPOSITION OF THIN FILMS FOR GATE DIELECTRICS APPLICATIONS
机译:
栅极电介质薄膜的激光辅助分子束沉积
作者:
Robert L. DeLeon
;
James F. Garvey
;
Gary S. Tompa
;
Richard Moore
;
Harry Efstathiadis
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
6.
CeO_2 thin films as buffer layers for Si/YBCO integrated microelectronics
机译:
CeO_2薄膜作为Si / YBCO集成微电子器件的缓冲层
作者:
Elena TRESSO
;
V. Ballarini
;
A.Chiodoni
;
R.Gerbaldo
;
G.Ghigo
;
L.Gozzelino E.Mezzetti
;
B.Minetti
;
C.F.Pirri
;
G.Tallarida
;
C.Camerlingo
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
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2003年
7.
Anisotropic delamination energy of bonded rippled silicon surfaces created by Ar~+ bombardment
机译:
Ar〜+轰击产生的键合波纹硅表面的各向异性脱层能
作者:
Z.X. Liu
;
N.W. Cheung
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
8.
Control of Crystal Orientations and Its Electrical Properties of PZT/Ru and PZT/RuO_2 Thin Films by MOCVD
机译:
MOCVD法控制PZT / Ru和PZT / RuO_2薄膜的晶体取向及其电学性能
作者:
Kazuo Shinozaki
;
Akinori Iwasaki
;
Naoki Wakiya
;
Nobuyasu Mizutani
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
9.
Low Temperature Growth of GaAs on Si Substrates for Ultra-fast Photoconductive Switches
机译:
超快光电导开关的Si衬底上GaAs的低温生长
作者:
Kai Ma
;
Ryohei Urata
;
David A. B. Miller
;
James S. Harris
;
Jr.
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
10.
Pixel-to-point transfer: a process for integrating individual GaN-based light-emitting devices in o heterogeneous microsystems
机译:
像素到点传输:将单个基于GaN的发光器件集成到异构系统中的过程
作者:
Z. S. Luo
;
T. Sands
;
N.W. Cheung
;
J. A. Chediak
;
J. Seo
;
L. P. Lee
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
11.
Photo-Polymer Wafer Bonding for Double Layer Transfer
机译:
光电聚合物晶圆键合,用于双层转移
作者:
Vorrada Loryuenyong
;
Tim Sands
;
Nathan W. Cheung
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
12.
RELAXATION OF SiGe FILMS FOR THE FABRICATION OF STRAINED Si DEVICES
机译:
SiGe薄膜的松弛用于制造应变Si器件
作者:
J.S. Maa
;
D. J. Tweet
;
J.J. Lee
;
S.T. Hsu
;
K. Fujii
;
T. Naka
;
T. Ueda
;
T. Baba
;
N.Awaya
;
K. Sakiyama
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
13.
Electrical properties of Bi_(3.25) La_(0.75)Ti_3O_(12) thin films with various grain orientations deposited by r.f. magnetron sputtering
机译:
射频沉积的Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的电学特性磁控溅射
作者:
Ju Hyung Suh
;
Sang Ho Oh
;
Chan-Gyung Park
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
14.
Free standing silicon as a compliant substrate for SiGe
机译:
独立式硅作为符合SiGe标准的衬底
作者:
G. M. Cohen
;
P. M. Mooney
;
J.O. Chu
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
15.
Determination of Space Shift of Si / SiGe / Si Heterojunction's Cap Layer by Grazing-angle Incidence X-ray Backiffraction Technique
机译:
掠角入射X射线反衍射技术测定Si / SiGe / Si异质结盖层的空间位移
作者:
Siranush E. Bezirganyan
;
Hayk H. Bezirganyan (Jr.)
;
Hakob P. Bezirganyan
;
Petros H. Bezirganyan (Jr.)
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
16.
Electrical and structural characterization of the interface of wafer bonded TnP/Si
机译:
晶圆键合TnP / Si界面的电气和结构表征
作者:
A. Fontcuberta i Morral
;
J. M. Zahler
;
Harry A. Atwater
;
M. M. Frank
;
Y. J. Chabal
;
P. Ahrenkiel
;
M. Wanlass
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
17.
Optical and Crystallographic Studies of Ion-Implanted Relaxor Ferroelectric Lead Zinc Niobate for Single-Crystal Layer Transfer
机译:
用于单晶层转移的离子注入弛豫铁电铌酸锌锌的光学和晶体学研究
作者:
M. Levy
;
P. D. Moran
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
18.
Relaxed SiGe Layers with High Ge Content by Compliant Substrates
机译:
符合要求的衬底的高Ge含量弛豫SiGe层
作者:
H. Yin
;
R.L. Peterson
;
K.D. Hobart
;
S.R. Shieh
;
T.S. Duffy
;
J.C. Sturm
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
19.
Growth of C_(60) Fullerene Films on Semiconductor Surfaces
机译:
C_(60)富勒烯薄膜在半导体表面的生长
作者:
Elena V. Basiuk (Golovataya-Dzhymbeeva)
;
Jose G. Banuelos
;
Alejandro Esparza
;
Jose M.Saniger
会议名称:
《Integration of Heterogeneous Thin-Film Materials and Devices》
|
2003年
20.
Wafer Fusion of GaSb to GaAs
机译:
GaSb与GaAs的晶圆融合
作者:
C.A. Wang
;
Z.L. Liau
;
D.A. Shiau
;
P.M. Nitishin
会议名称:
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|
2003年
21.
TRANSMISSION ELECTRON MISCROSCOPY STUDY OF THE FUSED SILICON/DIAMOND INTERFACE
机译:
熔融硅/金刚石界面的透射电子显微镜研究
作者:
G. N. Yushin
;
S. D. Wolter
;
A. V. Kvit
;
R. Collazo
;
J. T. Prater
;
Z. Sitar
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|
2003年
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