采用硅－锗和硅－碳合金的异质结场效应晶体管

摘要

利用硅-锗缓冲层和硅-碳沟道层结构制造的诸如异质结场效应晶体管的半导体器件。本发明提供了一种通过降低其上形成有应变硅沟道层的SiGe驰豫缓冲层之中的锗组分从而减少穿透缺陷密度的方法，该方法通过形成硅-碳合金的应变硅沟道层来实现，该碳-硅合金包含例如替代式地结合入合金的Si晶格中的、小于约1.5原子百分比的碳。