用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极

摘要

一种用于在FET器件中形成金属硅化物栅极的工艺，其中硅化物是自形成的(即，不需要单独的金属/硅反应步骤而形成)，且不需要硅材料的CMP或回蚀。第一层硅材料(3)(多晶硅或非晶硅)形成于栅极电介质(2)上；然后在上述第一层(3)上形成一层金属(4)，并在上述金属层(4)上形成第二层硅(5)。随后，实施高温(大于700℃)处理步骤，如源/漏激活退火；该步骤有效地通过金属与第一层内的硅反应在栅极电介质(2)上形成硅化物层(30)。可以实施第二高温处理步骤(如源/漏硅化)，有效地利用第二层(5)的硅形成第二硅化物层(50)。各层的厚度是这样的：在高温处理中，基本上第一层的全部和至少第二层的一部分被硅化物材料取代。因此，可以产生充分硅化的栅极结构。