机译:离子注入的TiN金属栅极具有双带边功函和出色的可靠性,适用于高级CMOS器件应用
, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China;
CMOSFETs; P/BF₂ ion-implanted TiN metal gate (MG); dual band-edge (DBE) effective work function (EWF); p/BF2 ion-implanted TiN metal gate (MG); single MG and single high- $k$ (HK); single MG and single high-k (HK).;
机译:镓结合的TiN金属栅极具有边沿功函数和出色的热稳定性,适用于PMOS器件应用
机译:带边缘功函数金属栅极CMOS器件的金属碳化物
机译:通过使用单个金属栅极和单个高k电介质通过离子注入为HP CMOS器件实现双频带边缘功函数
机译:用于高级CMOS缩放的叉子FET:叉上线 - 纳米片联合集成和17nm N-P空间的双重工作功能金属门
机译:用于先进CMOS器件的新型金属栅电极的功函数工程和热稳定性。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:将高K /金属门控设备应用于高级CMOS技术的进展和挑战