North Carolina State University.;
机译:Hf_xTa_yN金属栅电极与HfO_xN_y栅极电介质的兼容性,可用于先进的CMOS技术
机译:具有金属栅极和HfO_2栅极电介质的先进CMOS器件中的载流子迁移率
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:CMOS扩展路线图上的栅极电介质完整性,包括多栅极Fet,TiN金属栅极和HfSiON高k栅极电介质
机译:用于先进CMOS器件的新型金属栅电极的功函数工程和热稳定性。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件