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一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法

摘要

本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法,属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结,采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后,对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后,不卸片;再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上,加热第一块载物台后,把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离,对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工,达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形,使其面形精度得到很大的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN100506483C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN200610047695.4

  • 申请日2006-09-05

  • 分类号B24B29/02(20060101);H01L21/304(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人关慧贞

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B 29/02 授权公告日:20090701 终止日期:20120905 申请日:20060905

    专利权的终止

  • 2009-07-01

    授权

    授权

  • 2007-05-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-14

    公开

    公开

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