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一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管

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摘要

本发明公开了一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管，由阳极p

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-11-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/861 授权公告日:20090722 终止日期:20110923 申请日:20040923

专利权的终止
2009-07-22

授权

授权
2005-05-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-03-02

公开

公开

1. 一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管 [P] . 中国专利： CN100517762C . 2009.07.22
2. SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件 [P] . 中国专利： CN106783602B . 2020.06.09
3. Varactor having improved Q-factor using SiGe heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same [P] . 韩国专利： KR100425578B1 . 2004-04-03

机译：使用SiGe异质结双极晶体管具有改善的Q因子的变容二极管及其制造方法
4. Varactor having improved Q-factor and method of fabricating the same using SiGe heterojunction bipolar transistor [P] . 美国专利： US6686640B2 . 2004-02-03

机译：具有改善的Q因子的变容二极管及其使用SiGe异质结双极晶体管的制造方法
5. - Varactor having improved Q-factor using SiGe heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same [P] . 韩国专利： KR20030024155A . 2003-03-26

机译： -使用SiGe异质结双极晶体管的Q因子提高的变容二极管及其制造方法