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用于异常磁致电阻元件的引线接触结构

摘要

本发明公开一种EMR元件及其制造方法。该EMR结构包括形成有源区的一个或更多层,例如二维电子气(2DEG)。该EMR结构具有第一侧表面和相对的第二侧表面,该第一侧表面具有从该EMR结构的主体向外延伸的多个引线凸起。所述引线凸起用于形成该EMR元件的电流和电压引线。所述有源区延伸经过各引线凸起且沿所述引线凸起的每个的周边是可达到的。第一导电材料沿各引线凸起的周边形成且沿所述周边接触该EMR结构的有源区。所述引线凸起和接触各引线凸起的有源区的相应的第一导电材料形成该EMR元件的引线,例如电流引线和电压引线。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/82 授权公告日:20090708 终止日期:20100627 申请日:20060627

    专利权的终止

  • 2009-07-08

    授权

    授权

  • 2007-04-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-21

    公开

    公开

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