利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法

摘要

本发明公开了p型场效应晶体管(pFET)结构和形成pFET的方法。pFET包括在源极/漏极区域中嵌入的硅锗以增加p沟道上的纵向应力，并且从而增强晶体管的性能。通过增加源极/漏极区域的深度并且从而增加嵌入硅锗的体积，实现应力的增加。通过使用双BOX SOI晶片可以实现更深(例如，高达100nm)的应力硅锗源极/漏极区域。蚀刻沟槽穿过第一硅层和第一掩埋氧化物层，然后从第二硅层外延生长应力硅锗。第二掩埋氧化物层隔离pFET。