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机译:通过绝缘体上硅锗结构的直接缩合制备具有超低缺陷密度的绝缘体上锗晶片
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China|Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China;
Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China;
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Ge condensation; Ge-on-insulator; Defect;
机译:Ge凝结工艺制造的富Ge绝缘体上Ge和绝缘体Ge衬底上的形变诱导孔
机译:Ge凝结技术制备的(110)取向绝缘体上Ge沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道方向,有效场和空穴迁移率的温度依赖性
机译:使用质子和氦气注入制造的Ge绝缘体上Ge绝缘硅结构中的扩展深层缺陷
机译:SiGe-on绝缘体和由GE冷凝技术制造的高迁移渠道CMOS器件制造的Ge-On-Insulator基材
机译:通过引导细胞通过软骨诱导的微环境凝结来增强软骨形成,并设计了固体自由形式制成的支架。
机译:直接在不锈钢上制造的基于纳米结构的MnO2和Fe2O3薄膜的低成本高能量密度的柔性超级电容器
机译:phonon-drag对晶圆键合工艺制备的Ge-on-insulator基板塞贝克系数的贡献
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。