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内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的DC-DC转换器

摘要

本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC-DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上,向电流通路的一端提供输入电压,所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上,驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上,在漏极上连接电感,向源极提供基准电位。

著录项

  • 公开/公告号CN100514670C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN200410101189.X

  • 申请日2004-12-20

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人胡建新

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/00 授权公告日:20090715 终止日期:20151220 申请日:20041220

    专利权的终止

  • 2009-07-15

    授权

    授权

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-22

    公开

    公开

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