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SRAM读取延时控制电路及SRAM

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本发明提供一种SRAM读取延时控制电路及SRAM。所述SRAM读取延时控制电路包括：延时模块、电源开关模块以及开关控制模块，其中，所述延时模块，通过所述电源开关模块连接至第一电压域电源，用于产生读取延时时间；所述电源开关模块，受所述开关控制模块的控制，用于调节所述延时模块的供电端电压，以调节所述延时模块产生的读取延时时间；所述开关控制模块，用于调节所述电源开关模块的驱动能力。本发明能够在感应放大器所在电压域的电源电压高于存储阵列所在电压域的电源电压时，增大SRAM的读取余量，提高SRAM的芯片良率。

著录项

公开/公告号CN110956990B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01

原文格式PDF
申请/专利权人展讯通信(上海)有限公司;
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申请/专利号CN201811124026.1
发明设计人王林;
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申请日2018-09-26
分类号G11C11/419(20060101);
代理机构11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司;
代理人赵永刚
地址 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路2288弄展讯中心1号楼
入库时间 2022-08-23 13:11:16

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