具有鳍间浮栅的半易失性嵌入式存储器装置和方法

摘要

本公开的实施例提供用于具有鳍间浮栅的半易失性嵌入式存储器的技术和配置。在一个实施例中，一种设备包括半导体衬底以及在半导体衬底上形成的浮栅存储器结构，其包含位单元，所述位单元具有：从衬底延伸的第一、第二和第三鳍结构；氧化物层，设置在第一与第二鳍结构之间和第二与第三鳍结构之间；第一晶体管的栅极，设置在氧化物层上，并且与第一鳍结构的顶部耦合并在其之上延伸；以及第二晶体管的浮栅，设置在第二与第三鳍结构之间的氧化物层上。可描述和/或要求保护其他实施例。