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ESD仿真方法及仿真电路

摘要

本发明提供一种ESD仿真方法及仿真电路,包括:1)获取ESD保护器件的工作特性曲线及击穿特性曲线,基于特性曲线设置测试激励;2)对设置有ESD保护器件的待保护电路施加模拟ESD放电脉冲进行仿真,通过仿真获取待保护电路受所述模拟ESD放电脉冲作用的输入电流、电场及ESD保护器件的泄放电流,并得到待保护电路及ESD保护器件的峰值电场;3)将待保护电路的峰值电场与待保护电路的击穿临界电场进行比较,将ESD保护器件的峰值电场与ESD保护器件的击穿临界电场进行比较,以评估ESD保护能力。本发明利用最大电场与临界电场的对比评估ESD保护能力,可极大简化ESD保护仿真,且适用于各种器件工艺,加快了各类端口的ESD保护设计与评估。

著录项

  • 公开/公告号CN113761818B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111316697.X

  • 申请日2021-11-09

  • 分类号G06F30/3308(20200101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人施婷婷

  • 地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元

  • 入库时间 2022-08-23 13:05:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-11

    授权

    发明专利权授予

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