法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F7/20 授权公告日:20090513 终止日期:20190621 申请日:20050621
专利权的终止
2009-05-13
授权
授权
2009-05-13
授权
授权
2008-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-21
公开
公开
2005-12-21
公开
公开
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机译: 用于等离子体表面单晶纳米光刻的装置的塞子的生产方法和用于等离子体表面单晶纳米光刻的装置
机译: 基于表面等离子体共振的光学纳米尺度间隙感测装置及使用该光学纳米尺度间隙感测方法
机译: 基于表面等离子共振的光学纳米尺度间隙传感装置和使用相同的光学纳米尺度间隙传感方法,能够图像测量物体的表面形状