用于经减薄的碳化硅器件中欧姆触点的方法和组件

摘要

本发明提供了一种碳化硅半导体组件以及形成碳化硅(SiC)半导体组件的方法。该碳化硅半导体组件包括半导体基板和电极。半导体基板由碳化硅形成并且包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及在第一表面和第二表面之间延伸的厚度。方法包括在第一表面上形成一个或多个电子器件，以及通过将第二表面去除至半导体基板预定深度并留下与第一表面相反的第三表面来减薄半导体基板。方法还包括在第三表面上在第一温度范围下形成非欧姆合金层，以及在第二温度范围下使合金层退火以形成欧姆层，第二温度范围大于第一温度范围。