法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20181114
实质审查的生效
2020-07-03
公开
公开
机译: 高压应用中使用的半导体组件包括碳化硅层,具有肖特基触点的阳极,具有欧姆触点的阴极和具有肖特基触点的控制
机译: 由具有肖特基触点和由镍铝材料制成的欧姆触点的碳化硅制成的半导体器件
机译: 用于碳化硅的反射性欧姆接触,包括基本上由镍组成的层,其制造方法以及包括该反射性欧姆接触的发光器件