首页> 中国专利> 利用微下拉法快速生长稀土晶体光纤的方法

利用微下拉法快速生长稀土晶体光纤的方法

摘要

本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法,包括以下步骤,首先依据结晶生长的化学键合理论,确定稀土晶体的热力学生长形态;然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态,确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向,及生长界面处的各向异性化学键合结构;再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构,参照式(I),计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度;最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度,计算得到稀土晶体光纤的生长速率,如式(II)所示。

著录项

  • 公开/公告号CN109326333B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院长春应用化学研究所;

    申请/专利号CN201810966520.6

  • 发明设计人 薛冬峰;孙丛婷;潘婷钰;

    申请日2018-08-23

  • 分类号G16C20/20(20190101);G16C20/40(20190101);C30B29/34(20060101);C30B29/28(20060101);C30B15/08(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵青朵

  • 地址 130022 吉林省长春市人民大街5625号

  • 入库时间 2022-08-23 12:57:43

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号